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4); Comparison of X-ray diffraction and first-principles calculation高橋 正光; Kratzer, P.*; Penev, E.*; 水木 純一郎
Surface Science, 600(18), p.4099 - 4102, 2006/09
被引用回数：1 パーセンタイル：6.64(Chemistry, Physical)GaAs(001)-c(44)表面構造をシンクロトロンを用いたX線回折で調べた。原子座標と温度因子を表面第6層目まで決定した。その結果は、Ga-As非対称ダイマーの形成を示すものであった。求められた原子座標を、第一原理計算の結果と比較した。理論的には単位胞あたり1つのGa-Asダイマーを含む構造が安定であることが示されているにもかかわらず、実験結果は3つのGa-Asダイマーを含む構造ともっともよく一致した。3つのGa-Asダイマーからなる構造が形成される理由を、24からc(44)への構造変化と関係付けて議論する。
4 surfaces under molecular-beam epitaxy conditions高橋 正光; 米田 安宏; 水木 純一郎
Applied Surface Science, 237(1-4), p.219 - 223, 2004/10
被引用回数：5 パーセンタイル：29.77(Chemistry, Physical)その場表面X線回折法により、GaAs(001)-
再構成表面を詳しく調べた。試料は、他の解析用真空槽に搬送することなく、分子線エピタキシー条件下でそのまま測定に付した。一定のAs圧下において、GaAs(001)-構造の
相に相当する範囲内で基板温度を上げていきながら、多数のX線回折パターンを測定した。545
Cまでの比較的低い温度では、測定されたX線回折パターンは2(24)表面とよく一致した。しかしながら、585Cでは、周期性をなお保ちながら、2(24)とは異なる回折パターンが得られた。この変化は、Asダイマーが一部脱離し、2(24)と
2(24)とが混在した表面になったことにより説明できる。
-FeSi
films五十嵐 慎一; 勝俣 敏伸; 原口 雅晴; 斉藤 健; 山口 憲司; 山本 博之; 北條 喜一
Transactions of the Materials Research Society of Japan, 28(4), p.1153 - 1156, 2003/12
われわれはイオンビームスパッタ蒸着法により、シリコン基板上に-FeSi薄膜の作製を行ってきた。薄膜の結晶構造は基板洗浄法に依存し、高配向の-FeSi薄膜の作製にはスパッタエッチングが適していることがわかってきた。われわれはスパッタエッチングの条件を変え、-FeSi薄膜の結晶構造の評価をX線回折法・反射高速電子線回折法により行い、エッチングにおける表面非晶質化が結晶構造に及ぼす影響を明らかにした。非晶質層は高配向膜の形成を妨げる。エッチング後の焼鈍による欠陥回復が、高配向-FeSi薄膜には不可欠であることを明らかにした。
高橋 正光; 米田 安宏; 井上 博胤*; 山本 直昌*; 水木 純一郎
Journal of Crystal Growth, 251(1-4), p.51 - 55, 2003/04
被引用回数：3 パーセンタイル：22.02(Crystallography)MBE成長のさい、二次元成長する系では、一原子層ごとの成長に対応して、RHEED強度振動がおきることが知られている。同様の回折強度振動は、X線でも見られる。一般に、回折強度Iは、表面の原子配列で決まる構造因子Fと、表面粗さ因子mとの積I=Fmで表される。従来は、回折強度Iの測定から、主に表面粗さmに着目した議論がなされていた。これに対し本研究では、散漫散乱強度の測定から、Fとmを分離した解析が可能であることを示す。基板温度435
でGaAs(001)成長を行なったとき、成長前の表面はc(44)構造であるが、成長中は表面のGa濃度が増えるため、21構造に変化する。したがって回折強度変化には、表面粗さ以外に、Fの変化に由来する成分も含まれる。本方法により、Fとmの寄与が分離して求められた。
坂田 修身*; 古川 行人*; 後藤 俊治*; 望月 哲朗*; 宇留賀 朋哉*; 竹下 邦和*; 大橋 治彦*; 大端 通*; 松下 智裕*; 高橋 直*; et al.
Surface Review and Letters, 10(2&3), p.543 - 547, 2003/04
被引用回数：141 パーセンタイル：96.38(Chemistry, Physical)SPring-8に建設された表面界面の結晶構造決定用の新しいビームラインのあらましを述べる。ビームライン分光器のステージは、X線による表面研究のために、強度がより安定になるよう改造を施した。X線エネルギーの関数として、絶対光子密度を測定した。新しい超高真空装置、並びに、それを用いて得られたPt(111)上の酸素分子吸着構造のX線回折測定の結果を紹介する。
高橋 正光; 米田 安宏; 井上 博胤*; 山本 直昌*; 水木 純一郎
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 41(10), p.6247 - 6251, 2002/10
被引用回数：55 パーセンタイル：85.24(Physics, Applied)III-V族半導体の結晶成長の研究を目的に、MBE装置と組み合わせた表面X線回折計を製作し、放射光施設SPring-8の実験ステーションBL11XUに設置した。成長室の壁の一部に、X 線の窓材としてBeを用いたことで、真空槽の外からX線を照射し、散乱X線を真空槽外に導いて、その場X線回折測定を行うことができる。本装置のX線回折計は、単結晶構造解析用の四軸回折計と同等の機能を有しており、広範囲の逆格子空間の強度測定に基づいた、表面原子の三次元座標の決定を可能にする。本論文では、GaAs(001) 清浄表面において、(24)2構造と一致する回折強度分布が得られたことを示す。さらに、成長中のX線回折強度を実時間測定し、成長過程の動的な解析ができることを示す。GaAs(001)上のホモエピタキシャル成長中のX線回折では、RHEED振動と同様の強度変化が明瞭に観察された。X線の場合は多重散乱が無視できるので、解析の精密化が期待できる。
